Infineon Isoliert F4 Typ N-Kanal MOSFET 1200 V / 25 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY2B.

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 24 Stück)*

€ 1.698,984

(ohne MwSt.)

€ 2.038,776

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 31. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
24 - 24€ 70,791€ 1.698,98
48 - 48€ 67,251€ 1.614,02
72 +€ 63,925€ 1.534,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
234-8967
Herst. Teile-Nr.:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

F4

Gehäusegröße

AG-EASY2B.

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Durchlassspannung Vf

5.65V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.062μC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

62.8mm

Höhe

16.4mm

Breite

33.8 mm

Normen/Zulassungen

60749 and 60068, IEC 60747

Automobilstandard

Nein

Das Infineon-IGBT-Modul verfügt über einen 4-N-Kanal-FET (Halbbrücke), der mit 1200 V Drain-Source-Spannung und 75 A Dauerstrom arbeitet.

Chassismontage

–40 °C bis 150 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links