Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 234-7155P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0651DPB-00#J5
- Hersteller:
- Renesas Electronics
6640 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (geliefert auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
€ 1,118
(ohne MwSt.)
€ 1,342
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 50 - 95 | € 1,118 |
| 100 - 245 | € 0,958 |
| 250 - 995 | € 0,938 |
| 1000 + | € 0,832 |
- RS Best.-Nr.:
- 234-7155P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0651DPB-00#J5
- Hersteller:
- Renesas Electronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Renesas Electronics N-Kanal-MOSFET mit einfacher Leistung, geeignet für Schalt- und Lastschalteranwendungen. Er hat eine hohe Durchschlagsspannung von 60 V. Er kann 4,5-V-Gate-Antrieb betreiben.
Hochgeschwindigkeitsschalten
Niedriger Antriebsstrom
Montage mit hoher Dichte
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Bleifrei
Halogenfrei
Niedriger Antriebsstrom
Montage mit hoher Dichte
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Bleifrei
Halogenfrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,014 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
- RS Best.-Nr.:
- 234-7155P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJK0651DPB-00#J5
- Hersteller:
- Renesas Electronics