Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 234-7062P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1835-E
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Renesas Electronics Silizium-N-Kanal-MOSFET ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Durchschlagsspannung von 1500 V. Es ist auch für Schaltregler geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochgeschwindigkeitsschalten
Hohe Robustheit
Niedriger Antriebsstrom
Kein sekundärer Ausfall
Hochgeschwindigkeitsschalten
Hohe Robustheit
Niedriger Antriebsstrom
Kein sekundärer Ausfall
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1500 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |