Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 234-6993
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0804LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,298 | € 6,49 |
| 50 - 120 | € 1,142 | € 5,71 |
| 125 - 245 | € 1,078 | € 5,39 |
| 250 - 495 | € 1,00 | € 5,00 |
| 500 + | € 0,922 | € 4,61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-6993
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0804LSATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSDSON-8 FL | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSDSON-8 FL | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon OptiMOSTM PD richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Das Produkt bietet einen schnellen Aufwärtsschritt und optimierte Leitzeiten. Die Niederspannungs-MOSFETs OptiMOSTM für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Senkung der BOM-Kosten führt, und bieten Qualitätsprodukte in kompakten, leichten Gehäusen. Er verfügt über einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 40 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 100 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschalten und für Ladegeräte optimiert.
Logikpegelverfügbarkeit
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
Niedrige Gate-, Ausgangs- und umgekehrte Wiederherstellungsladung
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100 % Avalanche-getestet
Pb-freie Bleiplattierung
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
RoHS-Konformität
Erhältlich in 2 kleinen Standardgehäusen
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