Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 288 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon MOSFET im SuperSO8-Gehäuse erweitert das OptiMOS 5- und 3-Produktportfolio und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, die auf die Notwendigkeit niedrigerer Systemkosten und höherer Leistung reagiert. Er verfügt über eine niedrige Rückgewinnungsladung (Qrr), die die Systemzuverlässigkeit verbessert, indem er eine erhebliche Reduzierung der Spannungsüberschwingung bietet, wodurch der Bedarf an Klemmschaltungen minimiert wird, was zu geringeren technischen Kosten und Aufwand führt.

Höhere Betriebstemperatur bis 175 °C.
Überragende Wärmeleistung