Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 366 A 375 W, 8-Pin HSOG

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-4387
Herst. Teile-Nr.:
IPTG014N10NM5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

366A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPTG

Gehäusegröße

HSOG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

169nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8.75 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG014N10NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-100 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Hohe Leistungsfähigkeit

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