Infineon OptiMOS™ 5 IPTG011N08NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG011N08NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-80 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine. Dies führt zu einem 2-mal höheren Temperaturzyklus auf der Platine

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Hohe Leistungsfähigkeit