STMicroelectronics STN3N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 24,70
(ohne MwSt.)
€ 29,65
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 38 550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | € 0,494 |
| 250 - 495 | € 0,376 |
| 500 + | € 0,338 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3092P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3NF06
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
Robuste Lawinentechnologie
100%ig auf Stoßentladung geprüft
