STMicroelectronics STN3N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 3.3 W, 4-Pin STN3NF06 SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 3,85

(ohne MwSt.)

€ 4,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 38 605 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5€ 0,77€ 3,85
10 - 95€ 0,732€ 3,66
100 - 245€ 0,696€ 3,48
250 - 495€ 0,66€ 3,30
500 +€ 0,626€ 3,13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-3092
Herst. Teile-Nr.:
STN3NF06
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

STN3N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Breite

7 mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Power MOSFET ist die neueste Entwicklung des STMicroelectronics einzigartigen "Single Feature Size"-Streifen-Verfahrens. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Robuste Lawinentechnologie

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links