Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 57 A 44 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 232-6755P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC0703NLSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.9mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 44W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 44W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 60 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Die Produkte bieten eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.
Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft