onsemi SUPERFET III N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 10 A 26 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 229-6501P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTPF360N65S3H
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 29.95mm | |
| Länge | 10.63mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 29.95mm | ||
Länge 10.63mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Bleifrei
RoHS-konform