onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 10 A 26 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
229-6501
Herst. Teile-Nr.:
NTPF360N65S3H
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SUPERFET III

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Länge

10.63mm

Höhe

29.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Niedrige effektive Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Bleifrei

RoHS-konform

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