onsemi SiC Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 203 A 240 W, 7-Pin TO-263

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229-6446
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS004N10G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiC Power

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.4mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

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