Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
229-1837P
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S4L04ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90N04S4L04ATMA1


Dieser MOSFET ist ein Halbleiterschalter, der für Hochstrom-Gleichstromanwendungen und Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er unterstützt einen erweiterten Temperaturbetrieb und ist für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen qualifiziert.

Merkmale und Vorteile:


• Maximaler Ablassstrom von 90 A ermöglicht eine hohe Schaltleistung
• Niedrige Rds(on) von 3,8 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 71 W unterstützt anhaltende thermische Belastung
• Gate-Ladung von 46 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Drain-Source-Nennspannung von 40 V schützt vor üblichen Spannungstransienten
• Die Vorwärtsspannung der Diode von 1,3 V begrenzt den Abfall während der Rückleitung

Anwendungsbereich


• Geeignet für Antriebsstufen von Elektromotoren in Fahrzeugen
• Ideal für Hochstrom-DC-DC-Wandler-Ausgänge
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in der Automobilelektronik verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise

Welchen Temperaturbereich verträgt diese Komponente unter rauen Bedingungen?


Er arbeitet zuverlässig von -55 °C bis 175 °C.

Wie ist es für die Leiterplattenmontage und die Montage auf Leiterplattenebene verpackt?


Er wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse für direktes Löten geliefert.

Welche extremen Gate-Spannungen sollten vermieden werden, um Schäden zu vermeiden?


Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um die Gate-Integrität zu erhalten.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet es an der Platine?


Es bietet drei Pins für Drain-, Gate- und Quellenanschlüsse auf der Leiterplatte.

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