Infineon IPC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 42 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 229-1830
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S55R8ATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.58 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.58 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
40 V, N-Kanal, max. 0,9 mΩ, Kfz-MOSFET, PQNF, OptiMOSTM-6
Infineon stellt seine neueste 40-V-Leistungs-MOS-Technologie OptiMOSTM6 in einem 5 x 6 mm2 leitungslosen SS08-Gehäuse mit höchster Qualität und Robustheit für Kfz-Anwendungen vor. Ein Portfolio von 16 Produkten (RDSon_max von 0,8 mΩ bis 4,4 mΩ richtet sich an den gesamten Anwendungsbereich von Niedrigleistungsanwendungen wie z. B. Gehäuseanwendungen bis hin zu Hochleistungsanwendungen wie z. B. EPS), das es dem Kunden ermöglicht, das am besten geeignete Produkt für seine Anwendungen zu finden.
All dies ermöglicht das Best-in-Class-Produkt FOM (RDSon x Qg) und die Leistung auf dem Markt. Das neue SS08-Produkt bietet einen Dauerstrom von 120 A, was >25 % höher als der Standard-DPAK bei fast der Hälfte seiner Abmessungsfläche.
Zusätzlich ermöglicht die neue Generation des SS08-Gehäuses überlegene Schaltleistung und EMI-Verhalten aufgrund der sehr niedrigen Gehäuseinduktivität (≈4x geringere Gehäuseinduktivität im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen wie z. B. DPAK, D2PAK) durch den Einsatz der neuen Kupfer-Clip-Gleichkontakttechnologie.
Zusammenfassung der Merkmale
•OptiMOSTM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
•N-Kanal – Verstärkungsmodus – Normalpegel
•AEC Q101 qualifiziert
•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
•175 °C Betriebstemperatur
•Green Product (RoHS-konform)
•100 % Lawinengeprüft
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