Infineon IPC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 42 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 229-1830
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1830
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.58mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.58mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie IPC von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPC50N04S55R8ATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 40 V Vds ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 50 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 42 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 13 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnelleres Schalten mit geringerer Antriebsenergie
• Maximale Gate-Toleranz von 20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Rückstände
Anwendungsbereich
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten in Steuereinheiten verwendet werden
• Wird für thermisch belastete Elektronik verwendet, die bei hohen Temperaturen arbeitet
