Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51.4 A 71.4 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2912P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 100-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft