Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 3 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2814
Herst. Teile-Nr.:
Si2387DS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET Gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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