Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 150 A 278 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
225-9970
Herst. Teile-Nr.:
SUM70042E-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

N-Channel 100 V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.875mm

Höhe

4.826mm

Breite

10.414 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.

Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch V(Plateau)

100 % Rg- und UIS-geprüft

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