Vishay N-Channel 60 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 602 A 600 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9968
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ160E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 602A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 600W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 602A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 600W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
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