Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 225-9914
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um € 18,10 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 18,12
(ohne MwSt.)
€ 21,75
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 530 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,624 | € 18,12 | - |
| 50 - 120 | € 3,262 | € 16,31 | € 18,10 |
| 125 - 245 | € 3,076 | € 15,38 | € 68,50 |
| 250 - 495 | € 2,90 | € 14,50 | € 181,00 |
| 500 + | € 2,68 | € 13,40 | € 472,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9914
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 10.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG15N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungs-Elektronikumgebungen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Hochspannungsbeanspruchung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und wird in einem TO-247AC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V Drain-to-Source ermöglicht die Integration von Hochspannungssystemen
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• Niedrige Rds(on) von 350 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 53 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht eine große Flexibilität bei der Steuerspannung
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• Niedrige Rds(on) von 350 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 53 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht eine große Flexibilität bei der Steuerspannung
Anwendungen
• Wird für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltvorgänge
• Ideal für Schaltnetzteile in Energiesystemen
• Kann für klemmige induktive Lastschaltvorgänge verwendet werden
• Wird mit Gate-Treibern für schnell schaltende Topologien verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltvorgänge
• Ideal für Schaltnetzteile in Energiesystemen
• Kann für klemmige induktive Lastschaltvorgänge verwendet werden
• Wird mit Gate-Treibern für schnell schaltende Topologien verwendet
Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in kalten als auch in Hochtemperaturumgebungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische und die Befestigungswahl aus?
Das Oberflächengehäuse TO-247AC bietet eine große Fläche für Wärmeleitpads, die sich für Kühlkörper und eine einfache Löt- oder Clip-Montage eignen, um Verlust zu vermeiden.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Das Gerät toleriert Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben, um Gate-Überspannungen zu vermeiden.
Welches Vorwärtsleitungsverhalten ist bei Schaltumschaltungen zu erwarten?
Die Durchlassspannung ist auf 1,2 V angegeben, was den prognostizierten Leitungsspannungsabfall während des Einschaltzustands anzeigt und die Größe von Snubbern oder Klemmenetzwerken unterstützt.