STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.8 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz