STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 224-9999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 224-9999P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz