Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

€ 17,385

(ohne MwSt.)

€ 20,865

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 19 770 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 60€ 1,159€ 17,39
75 - 135€ 1,101€ 16,52
150 - 360€ 1,055€ 15,83
375 - 735€ 1,009€ 15,14
750 +€ 0,939€ 14,09

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-8518
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N06S409ATMA2
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie in DPAK-Gehäuse hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Sie bietet die Vorteile höchster Strombelastbarkeit, niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Kfz AEC Q101 zugelassen

• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow

• Betriebstemperatur: 175 °C.

• Grünes Gehäuse

• Sehr niedrige Rds

• 100 % Lawinenprüfung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.