ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
223-6398P
Herst. Teile-Nr.:
UT6JC5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2mm

Höhe

650μm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.

Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package

Side wettable Flanks for automated optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

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