ROHM RS3L110AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 11 A 2 W, 8-Pin SOP

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 13,02

(ohne MwSt.)

€ 15,625

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,604€ 13,02
50 - 95€ 2,208€ 11,04
100 - 245€ 1,726€ 8,63
250 +€ 1,696€ 8,48

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-6385
Herst. Teile-Nr.:
RS3L110ATTB1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RS3L110AT

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

128mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free Plating

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN1616-7T. Er wird hauptsächlich zum Schalten, DC/DC-Wandler und Batterie verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links