ROHM RD3G01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 15 A 25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-6275
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G01BATTL1
- Hersteller:
- ROHM
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- 223-6275
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G01BATTL1
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3G01BAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3G01BAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform