Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 76 W, 10-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4904P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 21.11mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 21.11mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile des bereits vorhandenen 600-V-CoolMOS-G7-Superjunction-(SJ)-MOSFET mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite sind eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.
Ermöglicht höchste Energieeffizienz
Die thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte
Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards