Infineon IPA60R Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 72,00

(ohne MwSt.)

€ 86,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 1,44€ 72,00
100 - 200€ 1,296€ 64,80
250 +€ 1,224€ 61,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4877
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R160P7XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA60R

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand RG

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links