Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 255 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4730
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design der Cool MOS/7-Plattform ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.
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