Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 255 W, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 150,48

(ohne MwSt.)

€ 180,57

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30€ 5,016€ 150,48
60 - 120€ 4,765€ 142,95
150 +€ 4,596€ 137,88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4730
Herst. Teile-Nr.:
IPZA60R037P7XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.1 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der Cool MOS/7-Plattform ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

Verwandte Links