Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,23

(ohne MwSt.)

€ 6,276

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 252 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 2,615€ 5,23
10 - 18€ 2,225€ 4,45
20 - 48€ 2,10€ 4,20
50 - 98€ 2,045€ 4,09
100 +€ 2,00€ 4,00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4691
Herst. Teile-Nr.:
IPP020N08N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.57mm

Breite

15.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Ableitungsklemmen fließt

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links