Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 125 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 70,375
(ohne MwSt.)
€ 84,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 4 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | € 0,563 |
| 250 - 600 | € 0,533 |
| 625 - 1225 | € 0,496 |
| 1250 + | € 0,458 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.3W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
