Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 77 W, 4-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
222-4682
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R185C7AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

185mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

77W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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