Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4677
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N06S404ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

99nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

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