Infineon CoolGaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12.5 A, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
222-4637
Herst. Teile-Nr.:
IGT60R190D1SATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolGaN

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Cool MOS TM P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM Rdson * Qg und Eoss

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Bleifreie Beschichtung halogenfreie Formmasse

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