DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 500 mA 0.32 W, 3-Pin SOT-523
- RS Best.-Nr.:
- 222-2856
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2900UT-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- DMP2900UT-7
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-523 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.32W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 0.85mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-523 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.32W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 0.85mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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