DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 0.53 W, 3-Pin X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2853
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2069UFY4Q-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2853
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2069UFY4Q-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 54mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.53W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.58mm | |
| Breite | 2.08 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.53W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.58mm | ||
Breite 2.08 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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