DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 0.45 W, 3-Pin SOT-323

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2831
Herst. Teile-Nr.:
DMN2310UWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.45W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1.1mm

Breite

1.35 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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