DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 0.45 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 222-2831
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2310UWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
€ 8,60
(ohne MwSt.)
€ 10,30
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,172 | € 8,60 |
| 100 - 200 | € 0,083 | € 4,15 |
| 250 - 450 | € 0,082 | € 4,10 |
| 500 - 950 | € 0,077 | € 3,85 |
| 1000 + | € 0,075 | € 3,75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2831
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2310UWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.45W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.45W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 4-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
