DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 0.45 W, 3-Pin SOT-323

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2831
Herst. Teile-Nr.:
DMN2310UWQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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