DiodesZetex Doppelt 2N7002 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.33 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 222-2692P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWK-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWK-7
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 261mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | 2N7002 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 261mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie 2N7002 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Der zweifache N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom