onsemi Isoliert FAM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 38 A 166 W, 12-Pin APMCD-A16
- RS Best.-Nr.:
- 221-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- FAM65CR51ADZ2
- Hersteller:
- onsemi
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- 221-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- FAM65CR51ADZ2
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | FAM | |
| Gehäusegröße | APMCD-A16 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, UL94V-0 | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Breite | 22.1 mm | |
| Länge | 40.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AQG 324 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie FAM | ||
Gehäusegröße APMCD-A16 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 12 | ||
Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, UL94V-0 | ||
Höhe 4.7mm | ||
Breite 22.1 mm | ||
Länge 40.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AQG 324 | ||
Das on Semiconductor FAM65CR51ADZ1 ist ein leistungsintegriertes MOSFET-Modul mit Aufwärtswandlerstufe für mehrphasige und halbbrückenlose Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit Diode. Es ermöglicht die Entwicklung eines kleinen, effizienten und zuverlässigen Systems für geringeren Fahrzeugverbrauch und geringere CO2-Emissionen.
Kompakte Bauweise für niedrigen Gesamtmodulwiderstand
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Verbesserte Leistung mit SiC-Diode
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