Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	38A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	APMCD-A16
	Serie	FAM
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	12
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	123nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Durchlassspannung Vf	2.4V
	Maximale Verlustleistung Pd	166W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	125°C
	Höhe	4.7mm
	Länge	40.3mm
	Normen/Zulassungen	RoHS, UL94V-0
	Automobilstandard	AEC-Q101, AQG 324

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße APMCD-A16
	Serie FAM
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 12
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Durchlassspannung Vf 2.4V
	Maximale Verlustleistung Pd 166W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur 125°C
	Höhe 4.7mm
	Länge 40.3mm
	Normen/Zulassungen RoHS, UL94V-0
	Automobilstandard AEC-Q101, AQG 324

Datasheet - FAM65CR51ADZ1, FAM65CR51ADZ2

Das on Semiconductor FAM65CR51ADZ1 ist ein leistungsintegriertes MOSFET-Modul mit Aufwärtswandlerstufe für mehrphasige und halbbrückenlose Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit Diode. Es ermöglicht die Entwicklung eines kleinen, effizienten und zuverlässigen Systems für geringeren Fahrzeugverbrauch und geringere CO2-Emissionen.

Kompakte Bauweise für niedrigen Gesamtmodulwiderstand

Modulserialisierung für vollständige Rückverfolgbarkeit

Verbesserte Leistung mit SiC-Diode

onsemi Isoliert FAM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 38 A 166 W, 12-Pin APMCD-A16

Verwandte Links