Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.1 W, 8-Pin PQFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7488P
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS8342TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Industrial Qualification, MSL1, RoHS

Länge

2.1mm

Höhe

2.1mm

Breite

1 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRFHS8342 ist eine starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

Kleine Umrisse

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Hohe Leistungsdichte

Kompakter Formfaktor für platzkritische Anwendungen