Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247

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220-7457
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R099P6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

109A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.21mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Höhe

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Cool MOS P6 Super Junction MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Cool MOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf ultimative Leistung konzentrieren, und solchen, die sich mehr auf Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.

Geringere Gate-Ladung (Q g)

Höhere V des

Gute Robustheit der Gehäusediode

Optimierte integrierte R g.

Verbesserte dv/dt von 50 V/ns

Cool MOS TM-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in Super-Junction-Technologie

Verbesserte Effizienz, insbesondere bei geringer Last

Bessere Effizienz in weichen Schaltanwendungen durch frühere Abschaltung

Geeignet für hart- und Soft-Switching-Topologien

Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit und guter Leistung Steuerbarkeit des Schaltverhaltens

Hohe Robustheit und bessere Effizienz

Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit

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