STMicroelectronics Typ N-Kanal, SMD MOSFET 90 V / 2.5 A, 5-Pin LBB
- RS Best.-Nr.:
- 218-4818
- Herst. Teile-Nr.:
- RF3L05150CB4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4818
- Herst. Teile-Nr.:
- RF3L05150CB4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | LBB | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße LBB | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Der STMicroelectronics XXXx ist der Status des ART LDMOS FET für Breitbandkommunikation und ISM-Anwendungen mit Frequenzen von HF bis 1 GHz. Dieses Produkt findet auch Anwendung in der kommerziellen 136-174-MHz-Bodenkommunikation und 30-512-MHz-Jammer, Boden-/Luftkommunikationssysteme.
Integrierter ESD-Schutz
Hoher Wirkungsgrad und Linear Gain-Betrieb
Erfüllt die europäische Richtlinie 2002/95/EG
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