Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der 600-V-CoolMOS-P7-Super Junction (SJ)-MOSFET ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess.
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
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