Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 73 A 100 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3037
Herst. Teile-Nr.:
IPD096N08N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.6mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung; RoHS-konform

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