Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3017
Herst. Teile-Nr.:
IPAW60R360P7SXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

600V CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P7. Er hat extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, was Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler macht. Die Plattform CoolMOS TM der 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit

Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte

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