Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
218-3000
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R1K0CEXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

600V CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

61W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Länge

29.75mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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