Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 6.6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2994
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,565 | € 14,13 |
| 125 - 225 | € 0,441 | € 11,03 |
| 250 - 600 | € 0,412 | € 10,30 |
| 625 - 1225 | € 0,384 | € 9,60 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2994
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 16.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 16.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 29.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET Ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und
Bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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