Infineon IAUA N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5
- RS Best.-Nr.:
- 218-2988P
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
| 50 - 120 | € 2,536 |
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*Richtpreis
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- 218-2988P
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IAUA | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IAUA | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS\ -5-Serie. Er wird für den Einsatz in der Automobilindustrie verwendet.
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel
MSL3 bis zu 260 °C Peak Reflow
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinenprüfung