Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 200 V / 35 A 150 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
218-2979
Herst. Teile-Nr.:
BSC350N20NSFDATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normale

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

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