Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 190 A 370 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 20,19

(ohne MwSt.)

€ 24,23

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5€ 4,038€ 20,19
10 - 20€ 3,634€ 18,17
25 - 45€ 3,432€ 17,16
50 - 120€ 3,19€ 15,95
125 +€ 2,946€ 14,73

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2642
Herst. Teile-Nr.:
IRLS4030TRL7PP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.35mm

Höhe

15.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.55 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 100-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 7-poligen D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für Logikpegelantrieb

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Überlegener R * Q bei 4,5 V VGS I

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

Verwandte Links