Infineon IPZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 34 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
217-2588
Herst. Teile-Nr.:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPZ

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.7nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 8,4 MΩ, Kfz-MOSFET, S3O8, OptiMOS\-5.

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel

AEC Q101-zertifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

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